传长鑫科技拟进军NAND闪存市场，计划在北京建设研发产线

知情人士称，长鑫科技正准备进入NAND闪存市场，并计划在北京新工厂建设一条NAND闪存研发生产线。此举意味着长鑫科技将在核心DRAM业务之外，进一步拓展存储芯片产品布局。

据悉，长鑫科技已经在北京设立研究机构，其中部分项目涉及NAND技术开发。公司还已就NAND业务计划与客户展开沟通，其中包括一家新成立的初创企业，该公司计划采购长鑫科技NAND芯片，用于AI系统和超级计算机相关存储产品。

目前尚不清楚长鑫科技的NAND研发生产线何时投入运行，也无法确定公司是否会从研发和试产阶段进一步推进至大规模商业化生产。

当前全球存储市场仍处于供应偏紧状态。AI服务器需求快速增长带动DRAM和HBM需求攀升，同时存储厂商将更多资本开支优先投向DRAM和HBM，也在一定程度上限制了NAND新增产能。TrendForce预计，NAND供应紧张局面可能要到2027年下半年才会有所缓解。

从市场格局来看，三星目前仍是全球最大的NAND供应商。TrendForce数据显示，2026年第二季度三星NAND营收份额为29.3%，SK海力士位居第二，美光随后。

长鑫科技今年7月通过IPO募资579.2亿元，并计划在北京建设第二座存储芯片工厂。随着NAND研发项目推进，公司产品布局有望从DRAM进一步向更多存储器类型延伸。

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