800V数据中心尚在酝酿,PI的辅源已抢先“卡位”英伟达Kyber
- 首页 > 芯闻 > 800V数据中心尚在酝酿,PI的辅源已抢先“卡位”英伟达Kyber
800V数据中心尚在酝酿,PI的辅源已抢先“卡位”英伟达Kyber
关键词:PI1700PowiGaN英伟达Kyber800VDC AI数据中心
时间:2026-6-25 10:00:04 来源:互联网
“
当整个AI数据中心产业还在为800V母线架构的选型争论不休时,Power Integrations(PI)已经将答案嵌进了一块8毫米厚的电源板里——而且,专为英伟达Kyber机架量身打造。
”
当整个AI数据中心产业还在为800V母线架构的选型争论不休时,Power Integrations(PI)已经将答案嵌进了一块8毫米厚的电源板里——而且,专为英伟达Kyber机架量身打造。
日前,PI发布了两款针对800VDC AI数据中心设计的超薄辅助电源参考设计。均针对英伟达Kyber液冷刀片式机架架构优化,在布局密集的主配电板上可节省约30%空间,物料清单元件数预计减少30%。

如果说GPU是AI算力的“心脏”,那么稳定高效的电源供应就是支撑其运转的“血管”。随着英伟达等厂商将机柜母线电压从传统的400V提升至800V,乃至更高,电流大幅降低带来的传输损耗减少和铜排空间节省显而易见。然而,电压提升带来的不仅是损耗与空间的优化,更是对电源系统安全性、可靠性及空间利用率的严苛挑战。尤其在辅助电源领域,这个为MCU、栅极驱动器等核心控制部件供电的“幕后功臣”,必须同时应对三重的压力:800V的直流输入、约1440V的开关管电压应力,以及原副边4kV的隔离要求——全部被限定在8毫米的垂直空间内。
Kyber机架采用800V母线供电,相比400V方案供电能力提升150%。但其液冷托盘结构给电源高度施加了硬性限制:1/2U槽位(约22.2mm)中,冷却板占去14mm,扣除装配余量,留给电源模块的净高仅约8mm。且电源部分无液冷覆盖,须通过PCB板被动散热——这进一步排除了传统厚型设计方案的可能。
“寸土寸金”的机架内,超薄厚度如何炼成?
“寸土寸金”的机架内,超薄厚度如何炼成?PI给出了回应。单路输出的DER-1114体积为30mm×30mm,厚度7mm,元器件仅30颗;多路输出的DER-1110为80mm×60mm,厚度8mm,元器件仅60颗。实现这样超薄厚度的关键,在于平面变压器与单面布局的协同设计。传统方案用漆包线绕制绕组,高度无法压缩;PI则将全部绕组集成在12层PCB板的铜箔走线中,磁芯扣合后变压器厚度被压至极致。配合单面布局设计——所有元件置于PCB同一侧——背面可紧贴冷却板或导热界面材料,进一步强化散热效率。在液冷托盘占据大量垂直空间、电源部分无主动风冷的Kyber架构中,这套组合几乎是业界唯一。
两款设计分工明确。DER-1110为35W六路输出:四路隔离输出专供半桥上桥臂驱动供电,一路14V/2A主输出用于给MCU或下管驱动供电,初级侧另有一路辅助输出供控制电路使用。DER-1114为15W单路输出,面向采用共地架构的新一代高效率栅极驱动器——该类驱动器内部已集成上管供电功能,无需外部隔离电源。效率差异同样反映了两者的设计取舍:多路方案因路数增加导致整流损耗累积,满载效率为88%;单路方案虽效率为82%,但变压器体积更小,布局灵活性更高,可随意安放于系统任意角落。


蓝宝石衬底路线:1700V GaN单管方案
支撑这两款参考设计实现高压安全裕量的核心,是PI独有的1700V PowiGaN氮化镓InnoMux™-2 IC。在800V母线电压下设计反激式电源,开关管需承受约1440V的电压应力——这是由反激拓扑本身的反射电压特性决定的硬性门槛。市面上主流的650V与900V GaN器件,面对这道高压墙也无能为力。友商通常采用两条替代方案:一是用两个开关管串联凑出耐压,但PI高级培训经理Jason Yan在发布会上直言, 这种方案“面临电压不均分、热均衡困难以及可靠性下降的致命伤”;二是改用碳化硅,但分立器件带来的成本、元件数量和空间占用都会多出30%。Jason表示:“我们是目前唯一提供单管HEMT 1700V GaN器件的公司,能在800V母线上保持充足的安全裕量。”
这种“唯一”的底气,源于PI在GaN衬底材料上与众不同的选择。
市面上绝大多数GaN器件采用的是“平面型”结构——漏极和源极位于芯片同一侧,电流横向流动。这种结构的耐压能力高度依赖衬底材料:若衬底具有导电性,高压下极易发生漏电甚至击穿。目前业界主流的GaN-on-Si路线,因硅本身导电,在面对反激拓扑中约1440V的电压应力时,显然力不从心。
PI则另辟蹊径,选择了蓝宝石衬底路线。蓝宝石是优良的绝缘体,为高压阻断提供了充足裕量,从而让单管承受1700V耐压成为可能。基于这一技术路线,PI不仅率先实现了1700V单管GaN的量产,Jason还透露:“将来还会有更高电压的器件出现。”

结尾
800V数据中心产业链尚处早期,各家电源厂商的800V方案仍停留在样机阶段,量产方案尚未定型。而PI选择在这一窗口期,以经过完整验证的参考设计提前嵌入英伟达Kyber生态——这不仅是技术卡位,很有可能是一次标准制定的先手。一旦Kyber进入量产,这些预先适配的方案极可能成为集成商的默认选择,大幅缩短选型与验证周期。至于母线电压从800V迈向1500V,PI的技术路线已留有充足余量,Jason亦透露其主电源产品也已在规划当中。
上一篇:【广域铭岛 x 领克汽车张家口工厂:一座工厂的智造进化论】
下一篇:【长电科技拟78亿元建设上海临港高端先进封测工厂】
猜你喜欢
- 芯闻
- 芯品
- 方案
- 文章
- • 800V数据中心尚在酝酿,PI的辅源已抢先“卡位”英伟达Kyber
- • 面板“老三”惠科股份登陆A股:首日飙涨近400% 市值超3500亿
- • ABF载板大扩产,长广精机订单排期满至2027年底
- • Supermicro扩大边缘AI解决方案产品组合,推出针对低延迟推理与工业部署优化的英特尔平台
- • Power Integrations推出节省空间的超薄型辅助电源参考设计,适用于NVIDIA的Kyber 800VDC AI数据中心应用
- • 纳芯微推出NST113x数字温度传感器,以高精度测温赋能新一代微型化终端设计
- • 意法半导体推出世界首个内置抗量子硬件加密处理器的移动安全芯片产品ST54M,为下一代互联服务保驾护航
- • Melexis推出数字电流传感器,有效解决高功率电动汽车信号完整性难题
- • 深度解析:2026美加墨世界杯的AI与硬科技底座,如何重构全球顶级赛事的底层逻辑?
- • 象德信息获陕西本土国资加持 加速“雷达+AI+行业应用”系统方案落地
- • 李东生达沃斯提全球化3.0:海外再造5个TCL,从输出产品转向输出能力
- • 海思详解星闪音频 Hi-Fi 无损:物理层传输速率达 16Mbps,通道容量可承载 48kHz/24bit 规格
- • ADI ADBT1002颠覆性的电池化成测试解决方案
- • 高通发布面向智能体AI时代的数据中心技术路线图,推出全新高通飞龙产品组合
- • 无需专用ASIC——国产MECHATROLINK-4总线方案正式发布
- • 电动汽车快速充电教程:分立器件与PIM模块,如何适配不同等级充电桩?