英特尔宣布实现 3D 先进封装技术 Foveros 的大规模量产

“英特尔今日宣布，已实现基于业界领先的半导体封装解决方案的大规模生产，其中包括英特尔突破性的 3D 封装技术 Foveros。

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英特尔今日宣布，已实现基于业界领先的半导体封装解决方案的大规模生产，其中包括英特尔突破性的 3D 封装技术 Foveros。

这一技术是在英特尔最新完成升级的美国新墨西哥州 Fab 9 投产的。英特尔公司执行副总裁兼首席全球运营官 Keyvan Esfarjani 表示：“先进封装技术让英特尔脱颖而出，帮助我们的客户在芯片产品的性能、尺寸，以及设计应用的灵活性方面获得竞争优势。”

随着整个半导体行业进入在单个封装中集成多个“芯粒”（IT之家注：Chiplets，又称“小芯片”）的异构时代，英特尔的 Foveros 和 EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）等先进封装技术号称可以实现在单个封装中集成一万亿个晶体管，并在 2030 年后继续推进摩尔定律。

据介绍，英特尔的 3D 先进封装技术 Foveros 在处理器的制造过程中，能够以垂直而非水平方式堆叠计算模块。此外，Foveros 让英特尔及其代工客户能够集成不同的计算芯片，优化成本和能效。

该公司曾表示，规划到 2025 年时，其 3D Foveros 封装的产能将增加四倍。