主页 > 科技IT

三星电子、台积电确认分别于 2028、2030 年将 High NA EUV 用于量产

科技IT 2026-09-09 user76368

ASML 今日在 SPIE 前夕宣布了与三大先进制程企业的合作，各方将共同推动 High NA EUV 光刻图案化系统从传统 6 英寸掩膜 / 光罩过渡至 12 英寸掩膜，以提升机台生产效率、降低制造成本，化解当前方案存在的“半场”拼接问题。

而在合作新闻稿中，三星电子确认计划在 2028 年将 High NA EUV 技术用于先进 DRAM 内存的大规模生产，台积电则计划从 2031 年开始向先进逻辑制程量产中导入 High NA EUV。

各方计划在 2031 年前建设 12 英寸掩膜试点线，为其于 2033 年在 High NA EUV 先进制程中投产做好准备。

来源:中电网
The End
免责声明：本文内容来源于第三方或整理自互联网，本站仅提供展示，不拥有所有权，不代表本站观点立场，也不构成任何其他建议，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性不作任何保证或承诺，请读者仅作参考，并请自行核实相关内容,不承担相关法律责任。如发现本站文章、图片等内容有涉及版权/违法违规或其他不适合的内容， 请及时联系我们进行处理。
上一篇： 联发科天玑旗舰芯首款Pro官宣！全面进化，期待拉满！

下一篇： 没有了

相关阅读

Copyright © 2099 搜索科技

苏ICP备2023036119号-10 |——：

|—— TXT地图 | 网站地图 |