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英诺赛科车规合封氮化镓荣获CSPSD 2026优秀市场表现奖

关键词：英诺赛科氮化镓

时间：2026-7-8 16:38:10      来源：网络

“ 近日，国内功率半导体领域重要的学术会议功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026）在上海成功举办。政、产、学、研、用各界专家与代表共同探讨了第三代半导体技术创新、产业落地的态势，助力推动生态升级与产业全链条协同发展。
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近日，国内功率半导体领域重要的学术会议功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026）在上海成功举办。政、产、学、研、用各界专家与代表共同探讨了第三代半导体技术创新、产业落地的态势，助力推动生态升级与产业全链条协同发展。会议期间还进行了优秀功率半导体产品评选，英诺赛科车规级SolidGaN合封氮化镓 ISG6127ATP-Q 凭借领先的技术创新与优异的市场表现，成功斩获优秀市场表现奖。

CSPSD优秀市场表现奖：聚焦产品技术创新性、市场规模化能力、头部客户认可度、终端落地价值、可靠性五大核心维度，仅表彰真正突破技术壁垒、实现批量量产、赋能下游产业升级的标杆型功率半导体产品。

先进技术+优越性能，直击行业痛点

ISG6127ATP-Q是英诺赛科自主研发，专为下一代高频化、高功率密度、小型化的车载电源转换场景量身打造的车规级合封氮化镓芯片，采用 TOLT-16L 封装，已通过AEC-Q100完整汽车级认证。

 

产品性能

高集成度：单芯片集成 650V/27mΩ 增强型 GaN FET和预驱IC，精简外围驱动电路；

宽输入电压范围：内置基于精确 LDO 的栅极钳位电路，支持 10V 至 24V 的宽栅极输入电压范围；

出色的dv/dt抗干扰能力：内置集成Miller Clamp功能（导通阻抗典型值仅 0.5Ω），能有效抵抗因高 dv/dt 漏极电压斜率引起的栅极误导通；具备高达 100V/ns 的 dv/dt 抗干扰能力，在高频高压应用下极为稳定；

开关边沿（Slew Rate ）可调：支持用户通过外部栅极电阻独立调节 GaN FET 的开通和关断斜率，以便在系统效率、可靠性与 EMI 性能之间达到完美平衡；

优异的电气与热特性：零反向恢复电荷（QRR = 0），显著降低开关损耗；支持高达 2MHz 的高频运行。具备优异的散热设计，顶部热阻仅为 0.30°C/W。

 

规模化落地加速，赋能产业升级

凭借全方位的性能优势与车规级可靠性，ISG6127ATP-Q已成功打入国内新能源汽车核心供应链，与多家行业顶尖的Tier 1系统集成商深度合作，实现规模化量产装车。

目前，该产品已应用于前沿的 6.6kW OBC车载充电机+3.5kW DC/DC 双向车载电源组合系统，成为车企打造高效轻量化车载三合一电源的核心器件。

此次斩获CSPSD 2026优秀市场表现奖，既是行业对英诺赛科技术创新与产业化成果的高度肯定，也是公司在车规级氮化镓赛道的全新起点。未来，英诺赛科将持续迭代SolidGaN合封氮化镓产品矩阵，深耕新能源汽车、工业储能、高端电源等核心赛道，依托8英寸硅基氮化镓IDM全产业链的优势，加速推动全球能源绿色高效转型。

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来源:中电网