三星首条8英寸氮化镓晶圆生产线最快二季度量产
科技IT 2026-04-03 rg52354
- 首页 > 芯闻 > 三星首条8英寸氮化镓晶圆生产线最快二季度量产
三星首条8英寸氮化镓晶圆生产线最快二季度量产
关键词:三星氮化镓
时间:2026-4-3 16:12:19 来源:互联网
“
据韩国媒体The Elec报道,三星的首条8英寸氮化镓(GaN)晶圆生产线预计最快将于2026年二季度进入量产阶段,初期收入预计将保持在1000亿韩元以下。
”

据韩国媒体The Elec报道,三星的首条8英寸氮化镓(GaN)晶圆生产线预计最快将于2026年二季度进入量产阶段,初期收入预计将保持在1000亿韩元以下。
报道指出,三星已建立起涵盖除芯片设计外所有内容的综合GaN解决方案生态系统,并具备独立生产GaN外延晶圆生产能力。
此外,三星计划在今年内启动碳化硅(SiC)功率半导体代工线的运营。该公司在碳化硅细分领域具备端到端能力,包括设计,能够在不同电压范围内补充氮化镓技术。
此前报道还披露,三星已投资约1000亿至2000亿韩元的先进工艺设备,包括Aixtron的MOCVD系统,以支持硅镓和氮化镓晶圆的加工。
上一篇:【工信部与中兴、小米开展专题座谈调研,对接电子信息制造业“十五五”发展规划】
下一篇:【三期项目下半年量产,长江存储产能将超越SK海力士】
猜你喜欢
- 芯闻
- 芯品
- 方案
- 文章
- • 三星首条8英寸氮化镓晶圆生产线最快二季度量产
- • 三期项目下半年量产,长江存储产能将超越SK海力士
- • 从 50W 到 440W PI TOPSwitchGaN 重构高功率反激电源
- • 三星西安厂236层堆叠3D NAND正式量产:最新286层年内落地
- • 意法半导体发布GaN参考设计,面向家电与工业驱动电机控制应用
- • 瑞萨电子推出全新GaN充电方案, 为广泛的工业及物联网电子设备带来500W强劲功率
- • 瑞萨电子推出首款650V双向GaN开关, 标志着功率转换设计规范的重大变革
- • 意法半导体新MasterGaN功率芯片整合设计灵活性和先进GaN技术
- • 大联大诠鼎集团推出两款基于英诺赛科产品的48V四相2kW降压电源方案
- • [原创]Infineon 600V CoolGaN 3600W LLC DC/DC转换器解决方案
- • [原创]ADI ADPA1106 2.7GHz-3.5GHz 40W氮化镓(GaN)功率放大方案
- • [原创]TI TIDA-010210 6.6kW三相三级ANPC逆变器参考设计
- • 低压GaN转换器栅极驱动和测量
- • 三星拟2031年量产1nm:从GAA转向Forksheet!
- • Exynos 2600实测:三星2nm仍不及台积电3nm
- • DRAM价格飙升100% 国内“稳定器”稳住供应
The End
相关阅读
- 三星与红帽携手推动CXL存储生态系统扩展并取得重要进展
- 中国能建安徽电建二公司中标云南伍寨80兆瓦光伏发电EPC总承包项目
- 比特网早报:腾讯元宝更新,MiniMax发布新模型M1
- Spectrum仪器高速任意波形发生器DDS功能可生成20个正弦波
- 比特早报:李彦宏称“卷模型”造成巨大的算力浪费, 三星放缓汽车半导体开发
- 世索科助力新一代高电压智能手机电池
- Sam Altman公布OpenAI路线图
- 天玑9500再度抬高 GPU能效天花板,40%的提升幅度堪称恐怖!
- 潮间带艺术村获颁SGS国内首张景区ISO 14068-1碳中和宣告核查声明
- 兆易创新亮相光博会,GD32 MCU全面赋能高、低速光模块应用