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行业首个，三星电子启动 HBM4 内存量产并向客户交付商用产品

关键词：三星电子HBM4

时间：2026-2-12 16:43:22      来源：互联网

“ 北京时间今天下午，三星电子通过新闻稿宣布：HBM4 内存现已启动量产，并向客户交付商用产品。根据官方介绍，三星此次直接采用第六代 10nm 级 DRAM 工艺（1c），并结合 4nm 逻辑制程，从量产初期便实现稳定良率与行业领先性能，且无需额外重新设计。
”

北京时间今天下午，三星电子通过新闻稿宣布：HBM4 内存现已启动量产，并向客户交付商用产品。

获悉，三星据此成为业内首家实现 HBM4 商业化交付的企业。

根据官方介绍，三星此次直接采用第六代 10nm 级 DRAM 工艺（1c），并结合 4nm 逻辑制程，从量产初期便实现稳定良率与行业领先性能，且无需额外重新设计。

三星电子执行副总裁兼存储开发负责人黄相俊（音译）表示，公司并未沿用既有成熟设计，而是选择在 HBM4 上直接采用 1c DRAM 与 4nm 逻辑工艺。凭借制程优势与设计优化能力，公司预留了充足性能空间，可在客户需要时满足其不断升级的高性能需求。

性能方面，HBM4 稳定处理速度达到 11.7Gbps，较行业主流水平 8Gbps 高出约 46%，相比上一代 HBM3E 最高 9.6Gbps 提升约 1.22 倍。最高性能可扩展至 13Gbps，以应对 AI 模型规模扩大带来的数据瓶颈问题。单堆栈内存带宽提升至最高 3.3TB/s，较 HBM3E 提高 2.7 倍。

三星通过 12 层堆叠技术提供 24GB 至 36GB 规格，并计划通过 16 层堆叠技术将容量扩展至 48GB，以匹配客户未来需求节奏。

针对 I/O 引脚数量从 1024 增加至 2048 所带来的功耗与散热压力，三星在核心芯片中整合了低功耗设计。相比 HBM3E，HBM4 功耗效率提升 40%，热阻提升 10%，散热性能提升 30%，核心技术包括低电压 TSV 方案与 PDN 优化。

三星表示，HBM4 在性能、能效与可靠性方面的提升，将帮助数据中心客户提高 GPU 吞吐能力，并优化整体拥有成本。

在制造层面，三星将依托 DRAM 产能与专用基础设施，确保 HBM4 需求增长下的供应链稳定。

三星还计划扩大与全球 GPU 厂商及超大规模数据中心客户的合作，重点围绕下一代 ASIC 产品开发。

公司预计，2026 年 HBM 销售规模将较 2025 年增长超过三倍，并加速扩充 HBM4 产能。HBM4E 预计将在 2026 年下半年启动送样，定制 HBM 样品将于 2027 年根据客户规格陆续交付。

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来源:中电网