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NOR Flash一季度将涨价30%，传统存储芯片短缺比市场预期更久

关键词：NOR Flash

时间：2026-1-16 13:15:51      来源：互联网

“ 知名投行摩根士丹利（Morgan Stanley）在最新的研究报告中指出，尽管市场对传统存储（Old Memory）仍存疑虑，但随着供需缺口进一步扩大，2025 年第二季至2026 年将迎接新一波超级周期。报告强调，DDR4、DDR3、NOR Flash 以及SLC/MLC NAND 等产品的供给吃紧状况正持续加剧，目前完全没有理由转向悲观。
”

知名投行摩根士丹利（Morgan Stanley）在最新的研究报告中指出，尽管市场对传统存储（Old Memory）仍存疑虑，但随着供需缺口进一步扩大，2025 年第二季至2026 年将迎接新一波超级周期。报告强调，DDR4、DDR3、NOR Flash 以及SLC/MLC NAND 等产品的供给吃紧状况正持续加剧，目前完全没有理由转向悲观。

报告指出，由于先进制程的存储产品（如DDR5或HBM）产能需求强劲，持续排挤成熟制程的产能分配。第一梯队的企业买家在2026年1月份对DDR4的采购态度转趋积极，试图抢占额外的出货额度。但是在供应受限的情况下，预计第一季DDR4的价格涨幅可能高达50%，且这股涨势将延续至第二季。此外，由于产能从DDR3转向DDR4，导致高密度DDR3产品出现严重短缺，进而带动DDR3供应商的业绩追赶。

至于在闪存芯片领域，供应链的调整同样引发了显著的价格波动。报告指出，预计第一季NOR Flash的报价将调升20-30%，且涨价趋势有机会延续至2026年下半年。而常规NAND Flash由于供应量的大幅缩减，第一季MLC与SLC NAND的价格涨幅预期将超过50%。摩根士丹利指出，某家美国主流供应商可能会减少产能，这为中国台湾供应商提供了切入AI服务器供应链的良机。此外，高密度SLC NAND的价格涨势预计将在2026年第一季跟上。

除了传统存储业务，部分成熟制程存储供应商正积极转型，共享高带宽内存（HBM）与先进封装技术的成长红利。报告提到，力积电的P5晶圆厂具备WoW（晶圆堆叠）与混合键合（Hybrid Bonding）的充足产能，这在HBM4e标准下将变得至关重要。同时，爱普（AP Memory）有望受惠于主要美国客户对CoWoS-S技术的需求，其硅电容（IPD）业务预计在2026年展现强劲成长。

最后，报告基于对2025至2026年获利成长及股东权益报酬率发展的预期，大摩全面调升了相关台系存储业者的目标股价。其中，华邦电子被列为该领域的首选标的，其目标价由新台币88元大幅上调至130元。其他如力积电目标价由新台币41元调升至56元。旺宏由新台币48元调升至72.5元。南亚科由198元调升至298元。爱普则由由475元调升至555元。

总结来说，摩根士丹利认为成熟制程存储芯片的供应短缺将比市场预期更为持久且剧烈。因此，随着供给端持续紧缩与需求端积极拉货，相关台系半导体厂在未来两年的营运展望极具想像空间。

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来源:中电网