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英特尔Fab 52满载月产能达4万片晶圆，2027年良率达先进水平

关键词：英特尔Fab 52

时间：2025-12-24 13:04:56      来源：互联网

“ 英特尔正努力在制程技术和全球先进产能方面追赶台积电，但在美国市场，这家芯片巨头仍然无人能敌。据报道，英特尔的Fab 52工厂比台积电目前的Fab 21一期和即将投产的Fab 21二期工厂更为先进，其产能相当于这两个工厂的总和。
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英特尔正努力在制程技术和全球先进产能方面追赶台积电，但在美国市场，这家芯片巨头仍然无人能敌。据报道，英特尔的Fab 52工厂比台积电目前的Fab 21一期和即将投产的Fab 21二期工厂更为先进，其产能相当于这两个工厂的总和。

英特尔Fab 52工厂旨在生产采用英特尔18A（1.8nm级）及更先进工艺技术的芯片，这些工艺技术使用环栅（GAA）RibbonFET晶体管以及PowerVia背面供电网络。该工厂的产能为每周1万片晶圆，满负荷运转时每月约4万片晶圆*（WSPM），按如今标准来看，这确实是一个非常庞大的晶圆厂。

据@IntelProMUltra观察，目前，Fab 52配备了四台ASML Twinscan NXE低数值孔径EUV光刻系统，其中包括至少一台NXE:3800E ——ASML最先进的低数值孔径EUV光刻机，它借鉴了下一代高数值孔径EUV光刻机的晶圆处理装置、更快的晶圆平台和光源，因此在30 mJ/cm² 的剂量下，每小时可处理多达220片晶圆。该工厂还拥有三台NXE:3600D系统，在30 mJ/cm²的剂量下，每小时可处理160片晶圆。

此外，英特尔在亚利桑那奥科蒂洛的“硅沙漠”园区预留了至少15台EUV光刻机的安装空间，未来可能引入更高数值孔径（High-NA）机型，进一步巩固技术壁垒。

与台积电Fab 21一期工程（采用台积电N4和N5工艺生产芯片）相比，英特尔Fab 52能够采用更先进的制程节点（低至1.8纳米及以下）生产芯片，并且每月晶圆处理量是其两倍。但尽管技术领先，Fab 52的量产进度仍受制于18A制程的良率爬坡。目前该工厂正小批量试产搭载18A技术的“Panther Lake”处理器，但英特尔预计需至2027年初才能使良率达到行业顶尖水平。在此之前，Fab 52的CPU产能将受限，部分产线可能处于闲置状态。反观台积电，其美国工厂采用成熟制程快速量产策略，可迅速实现接近满载的利用率。

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来源:中电网