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传北方华创90:1深孔刻蚀设备取得突破

关键词：北方华创刻蚀设备

时间：2025-12-9 13:22:29      来源：互联网

“ 据最新曝光的一份瑞银报告称，中国半导体设备大厂北方华创（NAURA）90:1高纵横比蚀刻方面可能取得了重大进展，这类刻蚀设备将可助力300层以上的NAND Flash闪存的生产。
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据最新曝光的一份瑞银报告称，中国半导体设备大厂北方华创（NAURA）90:1高纵横比蚀刻方面可能取得了重大进展，这类刻蚀设备将可助力300层以上的NAND Flash闪存的生产。

瑞银指出，如果北方华创最终能获得国内NAND Flash晶圆厂客户的订单，这可能意味着数亿甚至数十亿美元的新增市场机会。此外，考虑到中国对先进逻辑芯片的需求反馈积极，认为北方华创来自国内先进逻辑芯片客户的收入还有进一步增长的空间。

据此，瑞银将北方华创2026/2027年的晶圆厂设备（WFE）收入预测分别上调了1%和8%。

随着3D NAND技术的发展，其堆叠层数也越来越高，目前正在往300层以上方向发展。这就像是盖数百层的“摩天大楼”，而每层之间的连通则需要通过极高深宽比的深孔刻蚀设备来挖出数百层楼深、且极其狭窄的“电梯井”

而每一层的材料总厚度是固定的，通常达到几微米，如果要将数百层都互联起来，就需要通过极高深宽比的深孔刻蚀设备来将数百层都打通，而这些结构必须笔直、均匀且互不干扰。而且为了在单位面积内塞入更多存储单元，那么每个垂直通道孔的直径必须做得非常小，目前已经进入几十纳米的量级。对于200层以上的3D NAND，这个比值轻松超过 60:1，并且随着层数增加（更深）和工艺微缩（孔径更小），这个比例还在不断增大，对于300层以上的3D NAND就需要90:1甚至100:1迈进。这也是半导体制造中要求最苛刻的刻蚀工艺之一。

值得一提的是，此前，国内的刻蚀设备龙头中微公司就已经宣布，在面向存储领域所要求的高深宽比的深孔刻蚀方面，实现90:1的深孔刻蚀，并正在突破100:1的深孔刻蚀。

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来源:中电网